2月6日消息，三星已将全新的HPB（Heat Path Block）散热技术应用在自家的Exynos 2600芯片上。这项设计被看作是半导体封装领域的一次出色突破，可使芯片的热阻降低16%，同时能明显优化温控表现。
根据最新行业报道，高通计划在今年晚些时候推出的骁龙8 Elite Gen6系列中，同样搭载同款HPB技术。目前的爆料信息显示，高通正在对骁龙8 Elite Gen6进行工程测试，测试中的主频达到了5.0GHz甚至更高。这一情况不仅表明HPB技术已进入实际测试阶段，还暗示该技术是保障超高频率稳定运行的关键所在。
从技术原理角度分析，HPB是直接安装在硅晶圆表面的铜质散热模块。在传统芯片架构里，DRAM内存芯片一般直接层叠于SoC顶部，这种布局容易形成热量聚集的“热阱”区域，使得核心产生的热量难以有效扩散，只能依靠外部的VC均热板或石墨导热片来承担主要的热量传导任务。
HPB技术的设计思路是把内存芯片挪到处理器的侧边位置，这样就能空出空间，让高导热的铜块直接覆盖在核心上，从根本上缩短了散热所需要的路径。
根据资料，骁龙8 Elite Gen6系列处理器将首次运用台积电的2纳米工艺（N2P），其CPU主频预计能突破5.0GHz。在移动端处理器领域，主频越高，瞬时功耗与发热问题往往越突出。若缺乏HPB这类高效的封装级散热技术，即便依托顶尖工艺，芯片也难以在超高频率下持续稳定地发挥性能。
对于高通来说，目前像VC均热板这类被动散热方案已临近物理极限，仅靠扩大散热面积很难压制顶级核心产生的热量。采用HPB技术不仅是高效之举，更意味着未来旗舰芯片将从单纯依赖外部导热，转向更精细的封装内部热管理，进而让骁龙8 Elite Gen6的性能释放更游刃有余。
