12月22日消息，据报道，韩国存储芯片领域的两大巨头三星与SK海力士，正通过加快内存生产的方式，来应对人工智能领域带来的需求增长。

有报道指出，三星电子近期除了提高韩国本土DRAM和NAND闪存的产线利用率外，还着重加大了高带宽内存（HBM）等高端产品的生产规模。

另外，三星于11月决定恢复平泽五厂的施工，计划2028年启动量产，以此增强公司满足先进存储芯片需求的能力。

关于SK海力士，其清州的M15X新工厂正积极筹备投产事宜，该工厂将专注于DRAM以及其他面向AI的存储产品。

业界高层透露，SK海力士正计划提前于原定于2027年的时间节点，建成龙仁半导体园区内的首座晶圆厂，这座设施的规模可抵得上六座M15X晶圆厂。

鉴于未来几年AI相关需求预计将持续大幅增长，产能已成为衡量竞争力的核心要素。据Omdia统计，全球DRAM市场规模到2026年有望达到1700亿美元，较2024年的1000亿美元实现显著提升。